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本发明涉及一种高纯多孔硅制备的方法,属于高纯硅制备技术领域。本发明将硅原料粉碎细磨得到硅粉,利用金属辅助化学刻蚀法在超声外场条件下对硅粉进行刻蚀预处理,采用洗涤剂清洗掉硅粉表面的金属纳米颗粒,过滤分离、烘干得到多孔硅粉;将多孔硅粉置于RTP炉中进行快速热处理,得到热处理多孔硅粉;将热处理多孔硅粉置于酸液中,在温度10~80℃下搅拌浸出1~500min,过滤后经洗涤和烘干处理得到高纯多孔硅。本方法金属辅助化学刻蚀协同超声外场得到的多孔硅粉进行RTP热处理吸杂,使内部的杂质再次析出暴露,再通过酸液浸
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114988413A
(43)申请公布日2022.09.02
(21)申请号202210479333.1
(22)申请日2022.05.05
(71)申请人昆明理工大学
地址650093
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