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电介质刻蚀材料和工艺学问梳理
半导体加工中，在晶片外表形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转
移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求格外准确。但是，各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都会使实际过程困难得多。
AppliedMaterials公司电介质刻蚀部总经理BrianShieh说：前
段〔FEOL〕和后段〔BEOL〕电介质刻蚀的要求各不一样，因此要求反响器根本功能具有很大的弹性，对于不同的要求都能够表现出很好的性能。”
DowChemical公司技术部总监MichaelMill
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