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晶闸管制造工艺流程图解
主讲：杨传东
-
硅单晶
N
P
-
P
基区铝镓扩散
N
P
N
p
化
SiO2
SiO2
氧
P
-
P
正刻
SiO2
SiO2
N
P
-
P
发射区磷扩散
SiO2N+
SiO2
N
P
-
P
磷扩散后漂去氧化层
N+
N
割
圆
P
-
P
MO
烧结
N+
AL
N
P
-
P
MO
阴极镀膜
AL
AL
N-
N
P
-
P
MO
铝反刻
ALN+
AL
N
P
-
P
MO
台面造型
磨一角和二角，图中未显示
N+
AL
AL
N
P
N
P
实际的磨角结构
N+
AL
P
-
P
MO
台面保护
RTV
N+
AL
N
实际的晶闸管纵向结构
AL
N+
RTV
G
A
K
高温固化及存储
芯片测试
•门极参数：VGT，IGT@25℃
•通态参数：VTM，IH，di/dt@25℃DV/DT，@125℃
•断态参数：VDRM/IDRMVRRM/IRRM@25℃@125℃
•开关参数：tgt@25℃tq@25℃
•按客户其他要求测试
成管封装示意
阴极
台面铜块
银片
定位带
陶瓷环
阳极
台面铜块
可控硅芯片
可控硅成管
门极引线
成管测试
•门极参数:VGT，IGT@25℃
•通态参数:VTM，IH，di/dt@25℃DV/DT，@125℃
•断态参数:VDRM/IDRMVRRM/IRRM@25℃@125℃
•开关参数:tgt@25℃tq@25℃
•按客户其他要求测试
入库
包装
发货
祝大家工作生活愉快
P
-
P
MO
短基区
长基区 阳极区
可控硅结构术语
阴极发射区
短路点
N+
钼基片
门极
RTV
AL
N
可控硅芯片
各个结构件的功能
阴极发射区
•可控硅的阴极
•影响的主要参数，IGT，VGT，IH，VDRM/IDRM，DV/DT，VTM，DI/DT
短基区
•可控硅的门极的引出
•影响的主要参数:IGT，VGT，IH，
tgt,VDRM/IDRM，DV/DT，VTM，DI/DT
长基区
•承受可控硅的正反向阻断电压
•影响的主要参数，IGT，VGT，IH，
tq,VDRM/IDRM，VRRM/IRRM，DV/DT，VTM
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