可控硅流程图解.ppt_淘豆网.pptx

晶闸管制造工艺流程图解

主讲：杨传东

N-

硅单晶

P

N-

P

基区铝镓扩散

P

N

p

化

SiO2

氧

SiO2

P

N-

P

正刻

SiO2

SiO2

P

N-

P

发射区磷扩散

SiO2

SiO2

N+

P

N-

P

磷扩散后漂去氧化层

N+

割

圆

P

N-

P

MO

烧结

AL

N+

P

N-

P

MO

阴极镀膜

AL

AL

N-

P

N-

P

MO

铝反刻

ALN+

AL

P

N-

P

MO

台面造型

磨一角和二角，图中未显示

AL

N+

AL

AL

P

N

P

实际的磨角结构

N+

P

N-

P

MO

台面保护

RTV

N+

AL

实际的晶闸管纵向结构

AL

N+

RTV

G

A

K

高温固化及存储

芯片测试

•门极参数：VGT，IGT@25℃

•通态参数：VTM，IH，di/dt@25℃DV/DT，@125℃

•断态参数：VDRM/IDRMVRRM/IRRM@25℃@125℃

•开关参数：tgt@25℃tq@25℃

•按客户其他要求测试

成管封装示意

阴极

台面铜块

银片

门极引线

陶瓷环

阳极

台面铜块

可控硅芯片

可控硅成管

定位带

成管测试

•门极参数:VGT，IGT@25℃

•通态参数:VTM，IH，di/dt@25℃DV/DT，@125℃

•断态参数:VDRM/IDRMVRRM/IRRM@25℃@125℃

•开关参数:tgt@25℃tq@25℃

•按客户其他要求测试

入库

包装

发货

祝大家工作生活愉快

P

N-

P

MO

可控硅结构术语

阴极发射区

ALN+

钼基片

长基区

短路点

短基区

阳极区

门极

RTV

可控硅芯片

各个结构件的功能

阴极发射区

•可控硅的阴极

•影响的主要参数，IGT，VGT，IH，VDRM/IDRM，DV/DT，VTM，DI/DT

短基区

•可控硅的门极的引出

•影响的主要参数:IGT，VGT，IH，

tgt,VDRM/IDRM，DV/DT，VTM，DI/DT

长基区

•承受可控硅的正反向阻断电压

•影响的主要参数，IGT，VGT，IH，

tq,VDRM/IDRM，VRRM/IRRM，DV/DT，VTM