一种快速高效的二维半导体MEMS传感器制备方法.pdfVIP

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2024-03-20 发布于四川
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一种快速高效的二维半导体MEMS传感器制备方法.pdf

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本发明涉及半导体器件技术领域，具体提供一种快速高效的二维半导体MEMS传感器制备方法，该方法通过先对衬底刻蚀加工，之后后蒸镀Ti‑Au层，不仅可以避免目前器件制备工艺中所带来的残胶影响，还可以避免制备电极过程中，在电极‑样品接触区域，样品产生缺陷从而降低器件性能，通过Au与MoS2的作用力，可以获得大面积干净无残胶污染的单层MoS2，与通过转移技术制备的MEMS器件相比，直接剥离的样品完整度较高，不会引入应力、缺陷等问题，通过直接剥离的大面积样品，可以适用于高集成度、微纳米尺寸工艺器件。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117720065A

(43)申请公布日2024.03.19

(21)申请号202311745901.9

(22)申请日2023.12.18

(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物

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