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一种富含氧空位的Fe-Co3O4中空纳米片阵列的制备方法和应用.pdfVIP

一种富含氧空位的Fe-Co3O4中空纳米片阵列的制备方法和应用.pdf

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    本发明提供了一种富含氧空位的Fe‑Co3O4中空纳米片阵列的制备方法，包括以下步骤：首先，将钴盐、2‑甲基咪唑分别溶于溶剂中，混合搅拌后，浸入泡沫镍，反应一段时间，得到Co‑ZIF‑L纳米片阵列；接着将Co‑ZIF‑L放入到亚铁氰化钾溶液中刻蚀，形成Fe‑CoPBA，煅烧后得到Fe‑Co3O4；最后，通过NaBH4还原得到富含氧空位的Fe‑Co3O4中空纳米片阵列。本发明利用铁掺杂，中空结构的构筑和引入氧空位，缩短物质/电子传输通道、调整电子结构优化反应中间体的吸/脱附、增强材料导电性。实践表明

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117721494A

    (43)申请公布日2024.03.19

    (21)申请号202311735409.3

    (22)申请日2023.12.11

    (71)申请人宁波大学

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