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MOSFET功率器项目
规划设计方案
泓域咨询/规划设计/投资分析
摘要
功率器件分三大类：Si、Sic、GaNo功率半导体器件目前主要基于三
类材料：Si、SiC、GaNoSi功率器件是主，最重要的原因在于成本。Si
材料的击穿电压是三者中最低，而SiC和GaN属宽禁带半导体材料，具有
更高的带隙，更大的击穿电压。高击穿电压的特性让SiC和GaN在大功率、
超高电压控制方面的应用更有前景。但是因为产业链协同发展的阶段不
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