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初级电子技术测试题，含答案

一、填空题：（1’×25=25’）

1、P型半导体的多数载流子是，N型半导体的少数载流子是。

2、二极管的主要特性是，即加电压时二极管导通；加电压时二极管截止。硅

二极管导通时的正向压降，锗二极管导通时的正向压降。

3、三极管具有放大作用的外部条件是正向偏置，反向偏置。

4、某晶体三极管的UCE不变，基极电流IB=30μA时，IC=1.2mA时，

则发射

极电流IE=mA；如果基极电流IB增大到50μA时，IC增大到2mA，则发射极

电流IE=mA，三极管的电流放大系数β=。

5、测得工作在放大电路中两个晶体管的两个电极电流如右图所示：

则③脚电流为，管子类型为，①脚为极，②脚为极，③脚为极。

6、三极管是控制型器件，场效应管是控制型器件。

7、半导体是一种导电能力界于与之间的物体。

8、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做；另一个叫做。

9、二极管的门坎电压（死区电压），硅管约伏，锗管约伏。

二、判断题：（2’×10=20’）

1、晶体二极管内是一个ＰＮ结，所以具有单向导电性。……（）

2、普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用。…………（）

3、硅稳压管只要加上反向电压就有稳压作用。……………（）

4、硅稳压管的动态电阻愈大，则稳压管的稳压性能愈好。…（）

5、晶体二极管在使用中一旦发生反向击穿，就会被烧坏。…（）

6、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。…（）

7、晶体三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。……（）

8、测得三极管的UB=4.8V，UC=4.5V，UE=4V，则三极管处于放大区。（）

9、对于NPN三极管，当VBE＞0，VBE＞VCE，则该管的处于饱和状态。…（）

10、场效应管的漏极和源极可以互换使用。……

（）

三、选择题（2’×10=20’）

1、半导体中传导电流的载流子是。

A、电子B、空穴C、电子和空穴

2、PN结形成以后，它的最大特点是具有。

A、导电性B、绝缘性C、单向导电性

3、当硅晶体二极管加上0.4V正向电压时，该晶体二极管相当于。

A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路

4、下列对三极管电流描述哪句是正确的？

A、晶体三极管是大电流减小成小电流。

B、晶体三极管是小电流放大成大电流。

C、晶体三极管是小电流控制大电流。

D、晶体三极管是大电流控制小电流。

5、满足IC=βIB的关系时，晶体三极管工作在。

A、饱和区B、放大区C、截止区

6、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将。

A、减小B、增大C、不变

7、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是。

A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子

8、稳压管的稳压性质是利用下列特性实现的。

A、ＰＮ结的反向击穿特性B、ＰＮ结的单向导电性

C、ＰＮ结的正向导通特性D、ＰＮ结的反向截止特性

9、电路如图所示，已知两个稳压管＝8伏，＝6伏，它们的正向压降均为0.7

伏，若稳定电流都相等，则输出电压为。

A、6.7伏

B、6伏

C、8.7伏

D、14伏

10、晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将。

A、随的增加而增加

B、随的增加而减小

C、与变化无关，只取决于和

D、与变化无关，近似等于零

四、简答及作图题（35’）

1、如下图所示各三极管和每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种

工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）。（12’）

2、在单相桥式整流电路中，变压器次级电压V2=120V（见下图），在未接滤波

电容C时负载两端电压VL是多少伏？加了滤波电容并在空载情况下输出的直流

电压最大值可达多少伏，此时整流二极管实际承受的反向电压是多大？(8)