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BOD在晶闸管过电压保护中的应用研究

蓝元良汤广福张皎金钊,,,

(中国电力科学研究院北京,100085)

摘要本文描述了:BOD器件的物理结构及特性论述了,BOD在晶闸管过电压保护

应用中的典型电路设计及参数选择原则最后通过,TCR工程具体实例给出实验结,

果。

关键词:BOD;晶闸管过电压保护;;TCR

中图分类号文献标识码文章编号2()22

:355;864::10033076200003005104

TNTMA

保护特别是在晶闸管的串联应用中。,

1前言

2BOD的物理结构及特性

随着电力电子技术的发展特别是电力,

1物理结构

电子器件的发展在工业和商业应用中半控,,21

型器件如晶闸管逐渐被全控型器件如GTO、BOD的英文名称为击穿二极管其实它,

、等器件所取代并朝着大功,是一种具有四层结构的晶闸管其剖面结构,

IGBTMOSFET

示意图见图。被击穿而完全导通整个1,

率与智能化方向发展。但现阶段在高电压、,BOD

[1]+

过程大约～Λ。由于在阴极采用了扩

大电流应用领域中如,HVDC、高压SVC等,35sp

散的短路发射极结构因而获得很高的,dv

晶闸管仍然占有一席之地。尤其是采用晶闸

dt。但由于其非对称结构反向耐压低一般,,

管技术的电力电子设备还没有真正退出历史

低于。

10V

舞台之前如何使这些设备继续稳定可靠运,

1特性[2]

22BOD

行仍具有很大的经济效益。在应用中由于,,

()1伏安特性

电力电子器件其固有的脆弱性单靠增加器,

BOD的伏安特性如图所示阳极和阴2,

件的设计裕度来增加整个设备的可靠性是一极所加电压达到U时,BOD被击穿而导

BO

种不经济亦无必要的措施。一般做法是采用