红砂林人工修复技术的破土整地模式.pdfVIP

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附录A

(规范性附录)

红砂林人工修复技术的破土整地模式

A.1V型水平沟整地

V型水平沟整地是指断面呈V字型的带状整地方式，即内削坡与整成的反坡面断面呈V

字型（如图A.1所示）。V型水平沟沿等高线开挖，规格为：行距6m～10m，沟宽在0.3m～

0.4m（从反坡外沿至内削坡之间的水平距离），反坡面与水平面呈10°~15°角。V型水平沟

内要进行全面松土，松土深度不少于30cm。在整地过程中，如遇灌丛时，必须断开，并在

V型水平沟的端头筑埂。

图A.1V型水平沟整地纵断面示意图

A.2鱼鳞穴与鱼鳞坑整地

A.2.1鱼鳞穴整地的规格

行距确定为4.0m，沿等高线开挖鱼鳞穴，株距可在2.0m～3.0m范围以内灵活调整，穴

长短边为30cm×40cm；穴面成反坡集雨型，穴内松土不少于30cm，同时，修平内壁面，培

埂固土。具体如图A.2所示。

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说明：

A——边埂，埂高20cm；

D₁——鱼鳞穴短边30cm；

D₂——鱼鳞穴长边40cm；

图A.2鱼鳞穴整地规格示意图

A.2.2鱼鳞坑整地的规格

行距确定为6m，沿等高线开挖鱼鳞穴，株距可在3.0cm范围以内灵活调整，坑长短边

50cm×70cm；穴面成反坡集雨型，穴内松土不少于30cm，同时，修平内壁面，培埂固土。

具体如图A.3示。

单株保护单株保护

边株保护边株保护

图A.3鱼鳞穴（坑）整地边株保护示意图

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A.2.3鱼鳞穴(坑)整地的基本原则

定行距，调株距。

若同一行中，中间4m～6m范围内无保护株，则在2m～3m处修鱼鳞穴补植1株(丛)，

行单株保护。

若同一行内，出现连续的或成片的红砂林，则在两侧修鱼鳞坑保护，实边株保护，促进

其更新繁衍，引导群落向四周延伸；新的造林株(丛)以保护株为起点，开始计算株距。

具体要求如图A.4所示：

说明：

A——边埂；

D₁——鱼鳞坑短边50cm；

D₂——鱼鳞坑长边70cm；

图A.4鱼鳞坑整地规格示意图

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附录B

(规范性附录)

红砂林封育及人工修复效果调查表

林区名称：

林班号：小班号：；年降水量：mm；样地内其他植被组成：

样地面积人工种植密度幼树幼树树龄50cm深保护措施

样地号平均地径平均树高林分