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2024-04-10 发布于四川
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一种LDMOS制造方法及器件.pdf

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本申请公开了一种LDMOS制造方法及器件，其中方法包括：S1：提供一形成有P型埋层和N型埋层的衬底，衬底上形成有外延层，外延层表层形成有间隔设置的多对浅沟槽隔离，其中，最靠近N型埋层中心的浅沟槽隔离定义为第一浅沟槽隔离；S2：在第一浅沟槽隔离上方形成对接多晶硅结构，并在外延层进行离子注入工艺，以在外延层中形成漂移区、第一阱区、第二阱区和高压P阱区；S3：在外延层表面形成多晶硅栅极；S4：进行离子注入，形成位于漂移区表层的漏极和位于高压P阱区表层的源极；S5：制作接触孔场板，接触孔场板的第一接触孔

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117855045A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202410014725.X

(22)申请日2024.01.04

(71)申请人华虹半导体（无锡

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