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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

一种半导体结构及其制备方法.pdf

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    本发明提出一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括提供一半导体基底；在半导体基底的部分表面上形成金属层，金属层具有一凸起；在金属层和半导体基底的表面上共形沉积介质层，以在介质层上同步凸起形成一台阶结构；在台阶结构位置处形成研磨阻挡块；对介质层进行第一平坦化处理，以减薄研磨阻挡块两侧的介质层；湿法清洗去除研磨阻挡块；对介质层进行第二平坦化处理。在金属层有台阶结构的情况下，本发明可保证介质层的高度满足制程工艺，并提高介质层的产品良率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117855037A

    (43)申请公布日2024.04.09

    (21)申请号202410257075.1

    (22)申请日2024.03.07

    (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

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