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2024-04-10 发布于四川
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提高控制栅填充窗口的方法.pdf

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本发明提供一种提高控制栅填充窗口的方法，提供衬底，在衬底形成有浅沟槽隔离以定义出存储单元的有源区，浅沟槽隔离的高度高于衬底表面，浅沟槽隔离之间的间隙中形成有位于衬底上的栅极氧化层和位于栅极氧化层上的栅极多晶硅层；在浅沟槽隔离、栅极多晶硅层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得存储单元上的浅沟槽隔离、栅极多晶硅层裸露；利用存储单元凹槽刻蚀工艺刻蚀浅沟槽隔离至第一目标高度，去除光刻胶层；利用酸性溶液刻蚀浅沟槽隔离、栅极多晶硅层，使得位于浅沟槽隔离上方的栅极多晶硅层为梯形结构。本发明规避了转移机台末酸

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117858505A

(43)申请公布日2024.04.09

(21)申请号202410015785.3

(22)申请日2024.01.04

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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