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本申请实施例涉及半导体领域,提供一种键合方法,包括:提供第一基底,第一基底的表面具有第一焊盘,第一焊盘的表面具有第一氧化层;在第一焊盘上涂覆有机还原剂;提供第二基底,第二基底的表面具有第二焊盘;将第二基底与第一基底相对放置并进行热压处理,在热压处理过程中,至少部分有机还原剂将第一氧化层还原为第一金属层,第一金属层促进第一焊盘与第二焊盘之间的键合,剩余的有机还原剂挥发。本申请实施例提供的键合方法,有利于在较低温度和较低压力下实现第一焊盘与第二焊盘的直接键合,缩短键合时间,提高键合强度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117855067A
(43)申请公布日2024.04.09
(21)申请号202410027796.3
(22)申请日2024.01.08
(71)申请人复旦大学
地址200433
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