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2024-04-13 发布于浙江
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技术资料垂直炉管.pptx

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技術資料垂直爐管;1、概觀

2、模組介紹;;;泵浦系統給予低壓製程，由ASM提供。1.2製程

A-400製程包括如下：;;PCS提供簡單，架構使用者介面，減輕許多操作者時間消耗任務，諸如Downloadrecipe和table。;16維修容易;2、Reactor模組介紹

Dry／WetOxidation

DryOxidation

使用氣體：N2：1－20slmO2：1.5－15slm

N2O：1－10slmTrans-LC

製程溫度：800～1000℃

製程厚度：25－350⒏

製程介紹：

以DryOxidation所長出的SiO2將具備較佳的氧化層電性。

因此只要是所需要的SiO2層的電性品質的要求很高或是所需的厚度不厚時，通常都以DryOxidation來執行SiO2的

S製i作(s)。?O2(g)?SiO2(s)

如GateOxide便是其中之一。

在矽的氧化反應中，以N2O氣體，形成SiO2進行“Nitridation”以減少SiO2層內一些未完全的鍵結的鍵結數量，

以

提升SiO2層的電性或是在SiO2裡加入少量的氟，也可以幫助改善傳統熱氧化SiO2層一些性質。;;;SiH4(g)????Si(s)?2H2(g);In-SituDeposition 2.2.1.1使用氣體： N2：1－5slm

SiH4：1slm

PH3：200sccm

製程溫度：550～575℃

製程厚度：500-5000⒏

製程介紹：

In-situ摻入雜質的方式，是在長複晶矽時直接加入摻入雜質氣源於反應氣體中，而直接長n-type或p-type複晶矽。

這種方法雖然直接，但是因為膜厚控制，摻入雜質均勻度，以及沉積速率，都會因摻入雜質量的不同而有所改變，一般而言，加B2H6來長p-type複晶，會造成沉積速率的增加，而用來長n-type的PH3及AsH3，則會降低沉積速率。而且晶粒大小，方向也會因而改變。另外必須注意的是，在後續退火時或之前，表面必須蓋上一層氧化層，以避免摻入雜質由表面向外擴散，但是若複晶成長溫度夠高，且阻值夠低，則可省去高溫度退火。;232製程溫度：100℃