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第9章常用晶体管;9.1半导体的基本知识;;;9.1.2
N型半导体和P型半导体;;9.1.3PN结;;2.PN结的单向导电牲;;9.2晶体二极管;1.类型;2.半导体二极管的命名方式;;9.2.2伏安特性;;2.反向特牲;3.反向击穿特牲;4.
激发对二极管伏安特牲的影响;9.2.3主要参数;9.2.4二极管的简易测试;9.2.5二极管应用举例;;常用晶体管;常用晶体管;;;;
9.3晶体三极管
;;2.三极管的分类;9.3.2电流分配和放大原理;;(2)放大原理
①发射区向基区发射电子
(高掺杂)
②电子在基区中复合与扩散
(基区薄、低掺杂)
③电子被集电极收集
面积大
;外部条件:;(3)电流分配关系:;2.
双极型半导体三极管的放大原理;;;9.3.3三极管的特性曲线;;1.偷入特牲曲线;2.输出特性曲线;;9.3.4
半导体三极管的主要参数;2.极间反向电流;3.极限参数;9.3.5三极管的判别方法;2.集电极和发射极的判别;3.共发射极直流电流放大系数的性能测试;9.4其他常用晶体管;;2.稳压二极管的主要参数;3.稳压作用;;9.4.2光电二极管;;9.4.3发光二极管;2.种类和符号;;9.4.4场效应管;场效应管分类;;9.4.5单结晶体管
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