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****************Date:12/10/2020*Page:*3.3.2.2晶体三极管的型号表示一、国家标准对半导体三极管的命名如下：第一位：表示器件电极数目；第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管；第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。第95页,共116页，2024年2月25日，星期天Date:12/10/2020*Page:*二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1表示二极管、2表示三极或具有两个PN结的其他器件、3表示具有四个有效电极或具有三个PN结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第96页,共116页，2024年2月25日，星期天Date:12/10/2020*Page:*第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品.第97页,共116页，2024年2月25日，星期天Date:12/10/2020*Page:*三、美国半导体三极管命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体三极管命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。第二部分：用数字表示PN结数目。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档.第98页,共116页，2024年2月25日，星期天Date:12/10/2020*Page:*它是指集电区的少数载流子在集电结反向偏置作用下漂移而形成的反向电流。它与二极管中的反向饱和电流在本质上是相同的，因此当发射极开路（IE=0）时，集电极电流值即为反向饱和电流。ICBO大小是管子质量好坏的标志之一，实际当中ICBO越小越好。小功率管约为几个微安，此值虽小但受温度影响很大，是三极管工作不稳定的主要因素之一。ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。3.3.3.1反向饱和电流ICBO第99页,共116页，2024年2月25日，星期天Date:12/10/2020*Page:*???它是指基极开路（IB=0）时，集电极与发射极之间的反向饱和电流。ICEO的大小为ICBO的β倍。ICEO受温度影响更严重，因此它对三极管的工作稳定性影响更大。实际当中应该越小越好。ICEO和ICBO有如下关系:ICEO=(1+β)ICBO3.3.3.2穿透电流ICEO第100页,共116页，2024年2月25日，星期天Date:12/10/2020*Page:*3.3.3.3三极管的极限参数（一）如右图所示，当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时