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ohmic contacts to type gaas made with al sn ni与制成型欧姆接触.pdfVIP

ohmic contacts to type gaas made with al sn ni与制成型欧姆接触.pdf

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    OhmicContactstop-andn-typeGaAsmadewithAl-Sn-Ni

    R.J.Roedel

    CenterforSolidStateElectronicsResearch,ArizonaStateUniversity,Tempe,AZ,85287

    D.Davito,W.West,andR.Adams

    Epitronics,.,Phoenix,AZ,85027

    Wereporttheresultsofpreliminaryinvestigationsintothesuitabilityofthe

    metallizationsystem,aluminum-tin-nickel,asanohmiccontacttobothp-typeandn-type

    GaAs.WehavefoundthattheAl-Sn-NicontactissimilartoAl-Ge-Niinthatitmakesan

    adequateohmiccontacttobothtypesofGaAs(withspecificcontactsaslowas

    -42

    1.0x10cm),buttheAl-Sn-Nimetallizationhasmoreuniformsurfacemorphology

    afnnealing.Thismetallizationschemeismostappropriateforteststructuresinwhich

    rapidturnaroundandlowprocessingcostsareessential.

    Introduction

    AfterthirtyyearsoffabricationofGaAsdevicesandintegratedcircuits,ithasbeen

    establishedthatthebestohmiccontactsaremadefromgoldalloys,anddifferentalloysare

    neededforn-typeandp-typecontacts.(1)ThiscomplicatesGaAsprocessing,requiring

    separatedepositionsteps,separatemaskingoretchingprocedures,andsoon.An

    additionalproblemintheextensiveuseofgold-basedcontactsisthehighcostofthebase

    material.Consequently,therehasbeenasteadysearchforalowcostmetalsystemthatcan

    beusedforbothn-andp-typecontacts.OnepromisingalternativeistheAl-Ge-Nisystem,

    firstemployedbyZuleegetal.(2)whodemonstratedthatthismetallizationcanproduce

    ohmiccontactston-typeGaAswithhighradiationhardnessandspecificcontact

    competetivewithAu-Ge-Ni.AdditionalworkbyGrahametal.(3)revealedthatthis

    metallizationmadeanexcellentcontacttop-typematerialandmaintainedanatomicallyflat

    interfacewiththeGaAsaflloying(4),withouttheingsoprevalentwithAu-Ge-Ni.

    Unfortunay,theAl-Ge-Nicontactsh

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