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亚30纳米MOS器件准弹道输运模拟与模型研究的开题报告

摘要

本文主要介绍了基于场效应晶体管的纳米电子器件的研究进展，特别是针对亚30纳米MOS器件准弹道输运模型的研究。通过对MOS器件的物理理论分析、数值计算模拟和实验测量，研究了器件的结构、性能和输运特性，并提出了一些新的模型和理论，给出了优化器件性能的建议。

首先，介绍了纳米电子器件的研究意义和现状。随着纳米尺度下器件研究的深入，晶体管已经发展成为性能最佳、制造工艺最为成熟的纳米电子器件。然而，在亚30纳米尺度下，传统的多晶硅栅氧化物场效应晶体管已经不能满足要求，因此需要对晶体管进行重新设计和优化，以提高器件性能和可靠性。

接着，介绍了MOS器件的工作原理和输运特性。通过分析器件的结构和物理模型，可以得到MOS器件的基本输运特性，包括导通和关断状态下的传输系数、漏电流和热噪声等参数。这些参数是评估器件性能、优化器件设计的关键因素。

然后，介绍了准弹道输运模型的理论基础和数值计算方法。通过建立量子输运方程和考虑材料本征缺陷和表面效应等因素，可以得到更加准确的输运模型和理论，以提高MOS器件性能和可靠性。同时，通过数值计算模拟和实验测量，可以验证和优化这些理论和模型，并给出建议。

最后，提出了进一步研究的问题和展望。在MOS器件的研究中，要进一步细化器件结构和性能模型，探究纳米材料和结构对器件性能的影响，进一步提高器件的可靠性和运行速度，以满足新型纳米电子器件的应用需求。

关键词：亚30纳米MOS器件；准弹道输运；模型和理论；数值计算模拟；优化设计