HF20N06DF 28mΩ 60V 20A N-MOS DFN3×3 深圳黑锋科技.pdf

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HF20N06DF

N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs

DESCRIPTION

TheHF20N06DFListhehighperformancecomplementaryN-chandP-chMOSFETswithhighcelldensity,which

provideexcellentRDS(ON)andgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF20N06DFLmeettheRoHSandGreenProductrequirement100%EASguaranteedwithfullfunctionreliability

approved.

Features

SuperLowGateChargeGreenDeviceAvailable

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdeclineAdvancedhighcell

densityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuit

V(BR)DSSRDS(on)MAXID

60V28mΩ20A

DFN3*3

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T25℃120A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@10V

I@T70℃110A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@10V

IDMPulsedDrainCurrent246A

EASSinglePulseAvalancheEnergy325.5mJ

IASAvalancheC

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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