HF20P03D 36mΩ -30V -20A P-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF20P03D

P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHF20P03DisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSONand

efficiencyformostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications.

TheHF20P03DmeettheRoHSandGreenProductrequirementwithfullfunctionreliabilityapproved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID

-30V36mΩ-20A

HF20P03DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage-30V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

TC25℃-20A

IDContinuousDrainCurrent

TC100℃-13A

IDMPulsedDrainCurrentnote1-30A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote215mJ

PDPowerDissipationTC25℃19W

RθJAThermalResistance,JunctiontoAmbient5.2℃/W

T,TOperatingandStorageTemperatureRange-55to+175℃

JSTG

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