HF20P06D 48mΩ -60V -20A P-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF20P06D

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHF20P06DisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONand

gatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF20P06DmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfullfunction

reliabilityapproved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

GreenDeviceAvailable

TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID

-60V48mΩ-20A

HF20P06DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T25℃1-20A

DCContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

I@T100℃1-12A

DCContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

I@T25℃1-4.5A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

I@T70℃1-4.0A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

IDM

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专注电子行业10年,主营电源管理IC、MOS、方案配套,裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合,为客户推荐最具性价比产品,降低成本,提高生产良率!

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