HF30N06D 27mΩ 60V 30A N-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

HF30N06D

27mΩ60V30APlastic-EncapsulateMOSFETS

GeneralDescription

TheHF30N06DusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with

lowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.

Feature

HighdensitycelldesignforultralowRdsonExcellentpackageforgoodheatdissipation

FullycharacterizedavalanchevoltageandSpecialprocesstechnologyforhighESD

currentcapability

GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

Application

PowerswitchingapplicationV(BR)DSSRDS(on)ID

Hardswitchedandhighfrequencycircuits

Uninterruptiblepowersupply60V27mΩ@10V30A

TypicalApplicationCircuit

HF30N06DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(Ta25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS60

Gate-SourceVoltageVGS±20

ContinuousDrainCurrentID30

PulsedDrainCurrentIDM60

(1)

SinglePulsedAvalancheEnergyEAS72mJ

PowerDissipationPD1.25W

ThermalResistancefromJunctiontoAmbientRθJA100℃/W

Junctio

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

咨询Ta 进入空间

更多 >