HF30N10BD 37MR 100V 27A N-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF30N10BD

37MR100V27AN-ChFastSwitchingMOSFETs

GeneralDescription

TheHF30N10BDisthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcell

density,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverter

applications.

TheHF30N10BDmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Applicatio

SuperLowGateChargeExcellentCdv/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuitVBRDSSRDS(on)ID

100V37mR27A

HF30N10BDTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(Tc25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage100V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

TC25℃27A

IDContinuousDrainCurrent

TC100℃13A

IDMPulsedDrainCurrentnote180A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote230mJ

PDPowerDissipationTC25℃42W

RθJCThermalResistance,JunctiontoCase3.6℃/W

T,TOperatingandStorageTemperatureRange-55to+175℃

JSTG

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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