HF30P02DF 10mΩ -20V -30A P-MOS DFN3×3 深圳黑锋科技.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

HF30P02DF

P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs

DESCRIPTION

TheHF30P02DFisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONandgatechargefor

mostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF30P02DFmeettheRoHSandGreenProductrequirementwithfullfunctionreliabilityapproved.

Feature

SuperLowGateChargeGreenDeviceAvailable

GreenDeviceAvailableExcellentCdV/dteffectdeclineAdvancedhighcell

densityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuit

BVDSSRDSONID

-20V10mΩ-30A

DFN3*3

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

ID@TC25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-30A

ID@TC70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-4.5V1-18A

IDMPulsedDrainCurrent2-68A

PD@TC25℃TotalPowerDissipation318W

PD@TC70℃TotalPowerDissipation312W

TSTGStorageTemperatureRange-55to150℃

TJOperatingJunct

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

咨询Ta 进入空间

更多 >