HF3P50D -500 V- 3A 3.5Ω P-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF3P50D

P−ChannelenhancementmodepowerMOSFET

Description

ThisP−ChannelenhancementmodepowerMOSFETisProducedusingadvancedMOSFETtechnology

hasbeenEspeciallytailoredtoreduceon−stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformance

andhighavalancheenergystrength.

Application

switchedmodepowersuppliesBVDSSRDSONID

activepowerfactorcorrection(PFC)

-500V3.5Ω-3A

electroniclampballasts

TypicalApplicationCircuit

HF3P50DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterFQD3P50Unit

VDSSDrain-SourceVoltage-500V

DrainCurrent-Continuous(TC25°C)-3A

-Continuous(TC100°C)-1.33A

IDMDrainCurrent-Pulsed(Note1)-8.4A

VGSSGate-SourceVoltage30V

EASSinglePulsedAvalancheEnergy(Note2)250mJ

IARAvalancheCurrent(Note1)-3A

EARRepetitiveAvalancheEnergy(Note1)5.0mJ

dv/dtPeakDiodeRecoverydv/dt(Note3)-4.5V/ns

PDPowerDissipation(TA25°C)*2.5

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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