HF10N02AS 8mΩ 20V 12A N-MOS SOP-8 深圳黑锋科技.pdf

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HF10N02AS

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETs

TypicalApplicationCircuit

TheHF10N02ASisthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDS(ON)andefficiency

formostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications.The

HF10N02ASmeettheRoHSandGreenProductrequirementwithfullfunctionreliabilityapproved.

Application

GreenDeviceAvailableExcellentCdv/dteffectdecline

SuperLowGateChargeAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuit

BVDSSRDSONID

20V8mΩ12.0A

SOP-8

HF12N10STypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

I@T25℃112.0A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V

I@T70℃17.0A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V

IDMPulsedDrainCurrent234A

P@T25℃33W

DATotalPowerDissipation

P@T70℃

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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