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HF15N10D
100V15AN-ChannelAdvancedPowerMOSFET
FeaturesApplication
Channel，LowRDS(on)@VGS10VPrimarySideSwitch
10VLogicLevelControlLoadSwitch
100%UISTested
OptimizedforPowerManagementApplications
Pb−Free,RoHSCompliantforPortableProducts,suchasH-bridge,
InvertersCarChargerandOthers
TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID
85mΩ@10V
100V15A
100mΩ@5V
HF15N10DTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings
StressesexceedingMaximumRatingsmaydamagethedevice.MaximumRatingsarestressratingsonly.FunctionaloperationabovetheRecommended
OperatingConditionsisnotimplied.ExtendedexposuretostressesabovetheRecommendedOperatingConditionsmayaffectdevicereliability.
SymbolParameterRatingUnit
CommonRatings(Tj25°CUnlessOtherwiseNoted)
VGSGate-SourceVoltage±20V
V(BR)DSSDrain-SourceBreakdownVoltage100V
TJMaximumJunctionTemperature175°C
TSTGStorageTemperatureRange
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