HF30P04D 25mΩ -40V -30A P-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF30P04D

P-Ch40VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHF30P04DisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONand

gatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF30P04DmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfullfunction

reliabilityapproved.

Application

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

BVDSSRDSONID

TypicalApplicationCircuit

-40V25Ω-30A

HF30P04DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-40V

VGSGate-SourceVoltage±20V

ID@TC25℃ContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V1-30A

I@T100℃1-25A

DCContinuousDrainCurrent,-VGS@-10V

IDMPulsedDrainCurrent2-60A

EASSinglePulseAvalancheEnergy340.9mJ

IASAvalancheCurrent-30.0A

PD@TC25℃TotalPowerDissipation435W

TSTG

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