HF03N20MI 395mΩ 200V 3A N-MOS SOT23-3 深圳黑锋科技.pdf

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HF03N20MI

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

FeaturesApplication

Powerswitchingapplication

HighdensitycelldesignforultralowRdson

Hardswitchedandhigh

Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

frequencycircuits

Excellentpackageforgoodheatdissipation

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF03N20MITypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

StressesexceedingMaximumRatingsmaydamagethedevice.MaximumRatingsarestressratingsonly.Functionaloperationabove

theRecommendedOperatingConditionsisnotimplied.ExtendedexposuretostressesabovetheRecommendedOperatingConditions

mayaffectdevicereliability.

SymbolParameterRatingUnit

CommonRatings(TA25°CUnlessOtherwiseNoted)

VGSGate-SourceVoltage±20V

V(BR)DSSDrain-SourceBreakdownVoltage200V

TJMaximumJunctionTemperature150°C

TSTGStorageTemperatureRange-50to150°C

MountedonLargeHeatSink

IDMPulseDrainCurrentTested①TA25°C8A

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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