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HF30G30NF
N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETs
Description
TheHF30G30NFisthhighperformancecomplementaryN-chandP-chMOSFETswithhighcell
density,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverter
applications.
TheHF30G30NFmeettheRoHSandGreenProductrequirement100%EASguaranteedwith
fullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID
30V9.5mΩ30A
-30V21mΩ-20A
HF30G30NFTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings
Rating
SymbolParameterUnits
N-ChP-Ch
VDSDrain-SourceVoltage30-30V
VGSGate-SourceVoltage±20±20V
ID@Ta25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V130-30A
ID@Ta100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V115-16A
IDMPulsedDrainCurrent246-40A
EASSinglePulseAvalancheEnergy32866mJ
PD@TC25℃TotalPowerDissipation4
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