HF70P03DF 6mΩ -30V -65A P-MOS DFN3×3 深圳黑锋科技.pdf

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HF70P03DF

P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs

DESCRIPTION

TheHF70P03DFisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONandgatechargefor

mostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF70P03DFmeettheRoHSandGreeProductrequirement100%EASguaranteedwithfullfunctionreliability

approved.

Features

SuperLowGateChargeGreenDeviceAvailable

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdeclineAdvancedhighcell

densityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuit

V(BR)DSSRDS(on)MAXID

-30V6mΩ-65A

DFN3*3

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

T25℃-65

ContinuousDrainCurrent@-10V1IDA

T75℃-35

PulsedDrainCurrent2IDM-175A

SinglePulseAvalancheEnergy3EAS31mJ

AvalancheCurrent

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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