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HF75N04NF
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
GeneralDescription
TheHF75N04NFusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)
withlowgatecharge.ltcanbeusedinawidevarietyofapplications.
FeaturesApplication
VDS40VID75APowerswitchingapplication
RDS(ON)7.0mΩ@VGS10V(Type5.8mΩ)
：Uninterruptiblepowersupply
HighdensitycelldesignforultralowRdson
Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
Goodstability
Excellentpackageforgoodheatdissipation
SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability
TypicalApplicationCircuit
HF75N04NFTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)
SymbolParameterLimitUnit
VDSDrain-SourceVoltage40V
VGSGate-SourceVoltage±20V
IDDrainCurrent-Continuous75A
I(100℃）DrainCurrent-Continuous(Tc100℃)38A
D
IDMPulsedDrainCurrent160A
PDMaximumPowerDissipation60W
Debatingfactor0.57W/℃
EASSinglepulseavalancheenergy(note5)50mJ
T,TOperatingJunctionandStorageTemperatureRange-55To175℃
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专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！
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