HF80P03DF 5.5mΩ -30V -80A P-MOS DFN3×3 深圳黑锋科技.pdf

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HF80P03DF

P-Ch-30VFastSwitchingMOSFETs

DESCRIPTION

TheHF80P03DFisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDS(ON)andgate

chargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF80P03DFmeettheRoHSandGreeProductrequirement100%EASguaranteedwithfullfunctionreliability

approved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

GreenDeviceAvailable

TypicalApplicationCircuitV(BR)DSSRDS(on)MAXID

-30V5.5mΩ-80A

DFN3*3

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

T25°C-80

C

ContinuousDrainCurrentIDA

TC100°C-30

PulsedDrainCurrent1IDM-168A

SinglePulseAvalancheEnergy2EAS45mJ

TotalPowerDissipationTC25°CPD37W

OperatingJunctionandStorageTemperatureRange

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