HF10N02S 12mΩ 20V 10A N-MOS SOP-8 深圳黑锋科技.pdf

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HF10N02S

N-Ch20VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHF10N02SisthehighcelldensitytrenchedN

chMOSFETs,whichprovideexcellentRDS(ON)andgatecharge

formostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF10N02SmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfullfunctionreliability

approved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID

20V12mΩ10A

SOP-8

HF10N02STypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS20V

Gate-SourceVoltageVGS±12V

ContinuousDrain

TA25°CID10A

Current

PulsedDrainCurrent1IDM20A

PowerDissipationTA25°CPD2.25W

OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55to150°C

ThermalCharacteristics

ParameterSymbolValueUnit

ThermalResistancefromJunctiontoAmbient2RθJA

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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