HF10P06D 100mΩ -60V -10A P-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF10P06D

P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHF10P06DisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONand

gatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF10P06DmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfullfunction

reliabilityapproved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

GreenDeviceAvailable

BVDSSRDSONID

TypicalApplicationCircuit

-60V100mΩ-10A

HF10P06DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage-60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T25℃1-12A

DCContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

I@T100℃1-7.8A

DCContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

I@T25℃1-3.5A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

I@T70℃1-2.8A

DAContinuousDrainCurrent,VGS@-10V

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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