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HF100N10NF
N-Ch100VFastSwitchingMOSFETs
FeaturesApplication
SplitGateTrenchMOSFETtechnologyDC-DCConverters
ExcellentpackageforheatdissipationPowermanagementfunctions
HighdensitycelldesignforlowRDS(ON)Synchronous-rectificationapplications
TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID
100V4.6mΩ100A
HF100N10NFTypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS100V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
TC25°C100
ContinuousDrainCurrent1IDA
TC100°C60
PulsedDrainCurrent4IDM380A
SinglePulseAvalancheEnergy3EAS245mJ
TotalPowerDissipationTC25°CPD113.6W
OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55to150℃
ThermalCharacteristics
ThermalResistancefromJunction-to-Ambient1RθJA60°C/W
ThermalResistancefromJunction-to-CaseRθJC1.1°C/W
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