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Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37(1998)pp.L1362–L1364
Part2,No.11B,15November1998
c
1998PublicationBoard,JapaneseJournalofAppliedPhysics
OpticalPropertiesofInGaN/GaNQuantumWellswithSiDopedBarriers
MilanS.MINSKY1,ShigefusaCHICHIBU12,SiegfriedB.FLEISCHER,AmberC.ABARE,
JohnE.BOWERS,EvelynL.HU,StaciaKELLER1,UmeshK.MISHRAandStevenP.DENBAARS1
DepartmentofElectricalandComputerEngineering,UniversityofCalifornia,SantaBarbara,CA93106,USA
1MaterialsDepartment,UniversityofCalifornia,SantaBarbara,CA93106,USA
(ReceivedMay11,1998;acceptedforpublicationSeptember24,1998)
OpticalpropertiesofInGaN/GaNmulti-quantumwellswithSidopedbarriersarestudiedusingcwandtimeresolved
photoluminescence(TRPL)andphotoluminescenceexcitation(PLE)spectroscopy.Theroomtemperaturecarrierlifetime
dependsstronglyontheSidolevelinthequantumwellbarriers,decreasingfrom10nsto1nsasthedolevelis
reasedfromunintentionallydopedto51018cm3(Si:GaN).Theshiftbetweentheabsorptionedgeandemissionpeak
decreasesfrom220meVto110meVasthedoisreased.Temperaturedependentphotoluminescencemeasurements
indicateahigherdensityofnon-radiativecentersintheundopedstructures.
KEYWORDS:InGaN,GaN,multi-quantumwells,Si,do,photoluminescence
50nmthickness.ThenumberofperiodsinallMQWsam-
1.Introduction
pleswas3.Thequantumwellthicknesswas3nmandthe
TheInGloyshaveattractedagreatdealofinterestbe-barrierthicknesswas7nm.Thebarrierdovaluesasde-
causeoftheirpotentialforthefabricationoflightemitting
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