AgSiNWs肖特基二极管温敏特性的研究的开题报告.docx

AgSiNWs肖特基二极管温敏特性的研究的开题报告

题目：AgSiNWs肖特基二极管温敏特性的研究

1.研究背景

纳米材料因其独特的物理化学性质而备受关注，其中AgSiNWs是一种具有优异性能的纳米材料。AgSiNWs表面上会形成高密度的Ag/Si肖特基势垒，而肖特基二极管可以表现出优秀的温敏特性，在太阳能电池、光电探测器等领域有着广泛的应用。因此，研究AgSiNWs肖特基二极管的温敏特性对其实际应用具有重要的意义。本研究将以AgSiNWs为基础研究材料，探索其肖特基二极管的温敏特性，并寻找适用于该材料的温度测量方法。

2.研究目标

（1）制备AgSiNWs材料及其肖特基二极管器件。

（2）对AgSiNWs肖特基二极管进行I-V特性测试，分析其肖特基结构特征。

（3）探究AgSiNWs肖特基二极管的温敏特性并测量其输出信号。

（4）研究适用于AgSiNWs肖特基二极管的温度测量方法。

（5）对上述实验结果进行分析，评估AgSiNWs肖特基二极管的温敏特性及实际应用前景。

3.研究方法

（1）制备AgSiNWs材料：采用热蒸汽法或氧化还原法等方法制备AgSiNWs，采用扫描电镜、透射电镜等测试手段对其结构进行表征。

（2）制备AgSiNWs肖特基二极管器件：采用光刻技术、电子束曝光、溅射等方法制备AgSiNWs肖特基二极管器件，并对其形貌、结构等进行测试。

（3）测试AgSiNWs肖特基二极管的I-V特性：采用半导体参数分析仪进行测试，得到I-V曲线并分析其肖特基结构特征。

（4）测试AgSiNWs肖特基二极管的温敏特性：在恒流状态下，对AgSiNWs肖特基二极管进行温度变化测试，并观察其输出信号。

（5）研究适用于AgSiNWs肖特基二极管的温度测量方法：通过对实验结果的分析，找出适合AgSiNWs肖特基二极管的温度测量方法。

4.预期结果

（1）成功制备出AgSiNWs材料并获得其结构特征。

（2）制备出AgSiNWs肖特基二极管器件并对其进行测试，获得其I-V曲线并分析出其肖特基结构特征。

（3）发现并研究AgSiNWs肖特基二极管的温敏特性，并找出适用于该材料的温度测量方法。

（4）评估AgSiNWs肖特基二极管的温敏特性及其在太阳能电池、光电探测器等领域的应用前景。

5.研究意义

（1）为了解AgSiNWs的肖特基二极管结构及其物理化学性质提供了一种新的方法。

（2）为寻找新的温度测量方法提供了一种新的思路。

（3）对肖特基二极管的物理特性有一定的启示作用，并可以推动相关领域的实际应用。

（4）为AgSiNWs材料在太阳能电池、光电探测器等领域的应用提供更加准确和可靠的数据。