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65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化的开题报告

尊敬的评审专家：

本文的研究对象是65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化。本研究的目的是提高沟槽刻蚀效率，减少材料残留和缺陷等问题。本文将从以下几个方面进行研究：

1.问题描述：介绍65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀中的问题，如材料残留、缺陷等。

2.研究现状的回顾：介绍当前已有的研究成果，如超声波辅助刻蚀技术等。

3.实验设计：设计实验来探究超厚沟槽刻蚀的优化配方、刻蚀参数等要素，研究刻蚀效果与产生的缺陷。

4.实验结果：详细分析实验结果，可以在图表的形式中表现。

5.问题解决与优化：在实验的基础上分析问题并提出相应解决方案，进一步得到超厚沟槽刻蚀的优化配方，评估结果。

关于研究方法：

1.涉及超实际的生产，使用垂直渗透型刻蚀、正胶显影工艺、电子束曝光等微电子工艺设备进行实验，须考虑设备的正确性、精度、可靠性以及它们对样品的影响

2.结合SEM、EDS等方式对实验结果进行评估和分析。

关于研究成果：

本研究的成果可以提供给微电子行业中的企业进行优化工艺，改进和提高现有设备和工艺；也可以为超薄沟槽刻蚀研究提供新思路和理论基础。

以上是本文的开题报告，请评审专家指导和关注。