超净高纯资料摘要.pdfVIP

霍尼韦尔公司可为全球半导

体行业供应杂质在100ppt（万亿分之一百）以下的高纯度湿法电子化

学品，

如氢氟酸、氢氧化铵、过氧化氢和盐酸等产品，其材料部每年可创出

约10亿

美元的收入，公司在美国、中国、韩国、日本、印度和新加坡都经营

电子化

学品业务。另外，公司最近对其设在新加坡的地区总部投资2500万

美元，以

发展其在亚太地区业务，并将重点发展在中国和印度的电子化学品业

务

通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS酸碱试剂同时进行CMOS工

艺中栅

氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子

体原子

发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM分析和MOS电容测量三个方

面进行了应

用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果

总体

优于常规CMOS酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采

用。

超净高纯试剂的主要用途,一是用于基片在涂胶前的湿法清洗,二是用

于

在光刻过程中的蚀刻及最终的去胶,三是用于硅片本身制作过程中

的清洗。

硅圆片在进行工艺加工过程中,常常会被不同的杂质所沾污,这些杂质

的沾污

将导致IC的产率下降大约50%。为了获得高质量、高产率的集成电

路芯片,

必须将这些沾污物去除干净

。氮化硅膜在室温下用氢

氟酸或磷酸进行蚀刻。

半导体膜蚀刻：主要是指单晶硅和多晶硅的蚀刻,通常采用混合酸蚀

刻液

进行蚀刻。

导体膜蚀刻：在Si材料集成电路中,金属导线常采用Al、Al-Si合金膜,

湿法蚀刻图形化后Al和Al-Si金属膜常采用磷酸蚀刻液进行蚀刻。

有机材料蚀刻：主要是指光刻胶在经过显影和图形转移后的去胶。常

用

的正胶显影液有四甲基氢氧化铵,去胶剂可采用热的过氧化氢-硫酸氧

化去胶

或采用厂家提供的专用去胶剂或剥离液来去除胶膜。

2007年默克化工技术（上海）有限公司建立了松江基地

Ashland亚什兰集团在中国的业务稳步增长，先后成立了四家全资子

公司，胜牌（上

海）润滑油有限公司、亚什兰（常州）化学有限公司、亚什兰聚酯（昆

山）

有限公司、常州亚什兰现代化学有限公司，一家合资企业康胜（上海）

润滑

油有限公司，在北京、上海设立了销售代表处。亚什兰集团对常州和

昆山的

生产工厂进行扩建和升级，其中在常州的项目2005年投产。

2006年4月，西格玛·奥德里奇进军中国，并收购了北京舒伯伟化

工仪

器公司。2008年在无锡投资建厂，从事高纯度化学品、生化试剂的

规模化生

产及分装，2009年中国市场销售额约6.5亿元。德国默克集团于1995

年开

始开拓中国市场，2009年在中国市场销售额约7亿元，制药业务和

化工业务

分别占6成和4成。

2009年国内化学试剂行业的市场规模约为80亿元，其中排名第一和

第

二的分别是默克和西格玛·奥德里奇；西陇化工排名第三，当年实现

营收6.36

亿元；国药集团和光华化学分列第四和第五名。

超净高纯硫酸占超净高纯试剂的27%-30%。在标准的集成

电路制造工艺流程中,涉及晶圆清洗或表面预处理的工艺就超过100

步之多,

包括曝光后光刻胶的剥离、灰化残留物的去除、本征氧化物的去除,

甚至还有

选择性刻蚀

超净高纯试剂盐酸占超净高纯试剂的3%-8%。尽管干法工艺不断发展,

且

在某些应用中具有独特的优势,但是大多数晶圆清洗/表面预处理工

艺还是湿

法,即使用由多种化学物质组成的混合溶液,包括氢氟酸、盐酸、硫酸、

磷酸、

双氧水,以及大量用于稀释与冲洗的去离子水。

苏州晶瑞化学有限公司2001.11.29注册成立，位于苏州市吴中经济开

发

区澄湖东路，是一家生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化

工产品

的外资企业。品种包括氢氟酸、过氧化氢、氨水、盐酸、硫酸、硝酸、

异丙

醇、冰醋酸、混合酸（硅腐蚀液、铝腐蚀液、铬腐蚀液）等。目前主

要产品

的纯度为，单项金属杂质含量小于10ppb。产品广泛应用于超大规模

集成电

路和TFT-LCD面板制造过程及太阳能硅片的蚀刻与清洗。

北京化学试剂研

究所主要有9大系列产品：锂电池电解液、锂离子电池电解液、超净

高纯试剂、高纯物质、新型扩散源、光刻胶及配套试剂、金属表面处

理专用化学品、

标准溶液及实验试剂、其他精细化学品.年产3000吨生产规模。产品

针对正

极材料分为：钴酸锂用电解液、锰酸锂用电解液、磷酸铁锂用电解液、

钴锰

镍三