3080K N通道沟槽电源MOSFET深圳恒锐丰科技.pdf

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SHENZHENFINEMADEELECTRONICSGROUPCO.,LTD.

3080K(文件编号：SCIC1775)N-ChannelTrenchPowerMOSFET

Description

FeaturesApplication

30V,80ALoadSwitch

RDS(ON)3.8mΩ(Typ.)@VGS10VPWMApplication

RDS(ON)6.5mΩ(Typ.)@VGS4.5V

AdvancedTrenchTechnology

ProvideExcellentRDS(ON)andLowGateCharge

Package

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisespecified)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage30V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

TC25℃80A

IDContinuousDrainCurrent

TC100℃62A

IDMPulsedDrainCurrentnote1300A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote2210mJ

PDPowerDissipationTC25℃81W

RθJCThermalResistance,JunctiontoCase1.87℃/W

T,TOperatingandStorageTemperatureRange-55to+175℃

JSTG

第1页共7页Version1.0

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3080K(文件编号：SCIC1775)

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