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“微纳电子技术〞2008年第7期

专家论坛

P373-具有核/壳构造的纳米复合高频软磁材

纳米器件与技术

P380-射频功率TrenchMOSFET研制

P383-大功率激光二极管阵列正向特性研究

纳米材料与构造

P387-VO热色智能玻璃研究进展

2

P392-静电纺丝制备复合纳米纤维研究进展

MEMS器件与技术

P397-芯片上叉指电极介电电泳的模拟与实验研究

P403-Parylene薄膜及其在MEMS中的应用

P411-基于声外表波技术的数字微流体微加热器研究

P416-电化学乙醇气体敏感元件及其敏感特性研究

显微、测量、微细加工技术与设备

P419-nA级电流检测电路和抗干扰技术研究

P423-钝化处理在消除多晶Si薄膜缺陷中的应用

微电子器件与技术

P428-半导体激光器焊接的热分析

专家论坛

P373-具有核/壳构造的纳米复合高频软磁材

钟伟,汤怒江,靳长清,都有为

〔**大学固体微构造物理国家重点实验室,**省纳米技术重点实验室,**210093〕

摘要:具有核/壳构造的复合纳米材料兼有外壳层和内核材料的性能,

由于其构造和组成能够在nm尺度上进展设计和剪裁,因而具有许多

独特的光、电、磁、催化等物理与化学性质。简要介绍了实验室在过

渡金属纳米复合高频软磁材料研究方面的必威体育精装版进展,内容包括:绝缘

壳层〔如SiO、AlO、C-SiO等〕复合材料,能显著改善过渡金属

2232

纳米颗粒的热温度性,有效防止氧化和团聚,具有饱和磁化强度高、

高频软磁性能优异的特点;半导体壳层〔如ZnO〕复合材料,研究了

材料的光致发光性能,观测到在ZnO材料中较少出现的700nm发光

峰;螺旋碳纳米管与Fe组成的复合材料,实验结果说明该复合材

具有良好的高频吸波性能,有望成为新一代轻质高频吸波材料。

关键词:核/壳构造;复合纳米材料;软磁;高频;螺旋碳纳米管

.z

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纳米器件与技术

P380-射频功率TrenchMOSFET研制

苏延芬,*英坤,邓建国,胡顺欣,冯彬,董四华

〔中国电子科技集团公司第十三研究所,**050051〕

摘要:在国内首次研制出了一种采用条状元胞构造、特殊的栅槽刻蚀

条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench

MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3.0A、

跨导大于0.8S、阈值电压2~3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降

低了19%~43%,在175MHz、VDS=12V下输出功率PO为7W、漏极

效率ηD为44%、功率增益GP为10dB。

关键词:TrenchMOSFET;导通电阻;沟道密度;垂直沟道构造;饱

和压降

P383-大功率激光二极管阵列正向特性研究

杨红伟,*世祖,陈玉娟,家秀云

〔中国电子科技集团公司第十三研究所,**050051〕

摘要:大功率激光二极管阵列的正向特性失效问题严重影响器件的成

品率和可靠性。对典型的失效现象进展了分类,确认了主要的失效现

象是正向漏电。结合分阶段测试统计和对失效样品的显微分析,确定

了造成激光二极管漏电的主要工艺环节以及工艺过程中机械损伤造

成二极管漏电的机理。基于分析结果,改良了芯片构造设计和芯片工

艺夹具。对改良后的芯片进展了统计实验验证,结果说明,激光二极

管阵列的正向漏电问题得到根本解决,正向特性成品率从60%提高到

90%以上。

关键词:大功率激光二极管;正向漏电;解理纹;保护区;成品率

纳米材料与构造

P387-VO热色智能玻璃研究进展

2

何云富1,*刚2,朱俊1,陈德明2,王春平

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