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InGaZno-TFT和InTiZno-TFT的制备及其性能研究的开题报告

1.研究背景

氮化铟（InN）是一种重要的宽禁带半导体材料，具有较高的电子移动度和导电性能，因此被广泛应用于高频电子器件和光电器件中。为了提高InN薄膜的性能，研究人员引入了掺杂和合金化等方法，其中InGaZno-TFT和InTiZno-TFT是常见的两种结构。

2.研究内容

本研究旨在制备InGaZno-TFT和InTiZno-TFT，并研究其电学性能和结构特征。具体内容包括：

（1）制备InGaZno薄膜和InTiZno薄膜；

（2）使用物理沉积和结构化技术制备InGaZno-TFT和InTiZno-TFT；

（3）通过电学测试仪器研究二者的直流和交流特性；

（4）分析二者的结构特征，比较性能差异。

3.研究目的

（1）掌握InGaZno-TFT和InTiZno-TFT的制备技术；

（2）研究两种器件的电学性能，探讨其在电子和光电器件中的应用前景；

（3）深入了解InGaZno和InTiZno材料的物理和化学性质，提高对半导体材料相关理论的认识和应用能力。

4.研究方法

（1）采用物理沉积方法制备InGaZno和InTiZno材料；

（2）使用包括激光刻蚀、光刻、薄膜沉积等技术制备InGaZno-TFT和InTiZno-TFT；

（3）通过场效应测试仪、热释电测试仪、X射线衍射和扫描电子显微镜等实验手段研究二者的性能特征；

（4）对实验结果进行数据统计和分析，解读实验数据，得出结论。

5.研究意义

（1）研究InGaZno-TFT和InTiZno-TFT的制备方法和性能特征，能够促进半导体材料的发展和应用；

（2）提高对宽禁带半导体材料的认识，为材料科学领域的研究提供理论指导和实验基础；

（3）为具有潜在应用前景的电子和光电器件的研究和开发提供技术支持和理论依据。