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三极管的参数

半导体三极管的参数分为三大类:

直流参数

交流参数

极限参数

①直流电流放大系数

a.共基极直流电流放大系数：

半导体三极管的参数

b.共射极直流电流放大系数：

②极间反向电流

a.集电极基极间反向饱和电流ICBO

b.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

相当于基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0时曲线所对应的Y坐标的数值,如图所示。

a.共发射极交流电流放大系数

=IC/IBvCE=const

①交流电流放大系数

b.共基极交流电流放大系数α=IC/IEVCB=const

当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。

三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。

②特征频率fT

①集电极最大允许电流ICM

如图所示，当集电极电流增加时，就要下降，当值下降到线性放大区值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。

②集电极最大允许功率损耗PCM

集电极电流通过集电结时所产生的功耗，

PCM=ICVCB≈ICVCE，

因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。

在计算时往往用VCE取代VCB。

③反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电

压的能力，其测试时的原理电路如图所示。

a.V(BR)CBO

发射极开路时的集电结击穿电压。下标CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。

对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。