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SiC衬底紫外LED制备和研究的开题报告

一、研究目的

随着半导体照明技术快速发展，紫外LED逐渐被广泛应用于污水处理、水质检测、食品安全、紫外净化等领域。然而，传统的蓝宝石和氮化铝衬底制备紫外LED的成本非常高，同时也存在光衰等问题。因此，研究SiC衬底制备紫外LED，不仅能够提高制备效率和降低成本，而且能够改善LED的性能和稳定性，具有重要的应用价值。本研究旨在探索SiC衬底紫外LED的制备方法和性能。

二、研究内容

1.SiC衬底制备及表征

2.确定制备紫外LED的材料体系

3.制备SiC衬底紫外LED并研究其性能

4.对SiC衬底紫外LED的光学、电学性质及稳定性进行分析和评估

三、主要研究方法

1.SiC衬底的切割、打磨、化学处理等工艺制备；

2.利用有机金属化学气相沉积法（OMVPE）制备紫外LED；

3.利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）等手段对SiC衬底和LED进行表征；

4.利用增强型荧光光谱仪、电学测试仪等设备进行性能测试和评估。

四、预期成果

1.成功制备SiC衬底紫外LED，并在性能和稳定性上取得较好效果；

2.对SiC衬底紫外LED的制备方法和性能进行初步探究，为进一步改进和优化提供基础数据和参考意见；

3.取得相关实验数据并进行分析、总结，撰写毕业论文并发表研究报告。

五、研究意义

1.对于SiC衬底材料的制备技术和性能进行探索和研究具有一定的理论和实践意义；

2.SiC衬底具有优良的导热性能和耐高温性能，是制备高性能和高稳定性LED的重要基础；

3.SiC衬底制备紫外LED具有重要的应用价值和市场潜力，对于推进LED技术创新和产业发展具有积极的促进作用。