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2024-05-25 发布于四川
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一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法.pdf

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本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；氧化层，位于所述栅极沟槽底部和侧壁以及所述碳化硅外延层表面；介质层，位于所述氧化层表面未填满所述栅极沟槽，其中，位于所述栅极沟槽底部的介质层的厚度大于位于所述栅极沟槽侧壁的介质层的厚度，位于所述栅极沟槽底部的介质层的厚度从所述栅极沟槽侧壁向所述栅极沟槽中部逐渐减小；沟槽栅极，位于所述栅极沟槽中填满所述栅极沟槽。本申请提

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073420A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202410251662.X

(22)申请日2024.03.05

(71)申请人飞锃半导体（上海）有限公司

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