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2024-05-25 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

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本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件集成度低的问题，该半导体结构包括：沿水平方向和竖直方向阵列排布的多个半导体单元；所述半导体单元包括第一晶体管结构和第二晶体管结构，所述第一晶体管结构包括第一半导体层，所述第二晶体管结构包括栅极结构和第二半导体层；其中，所述栅极结构位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述栅极结构与所述第一半导体层和所述第二半导体层的侧壁接触。以此实现存储元件薄型化，使得单位体积内容纳更多的晶体管单元，从而提高半导体结构的集

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118076095A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211426000.9

(22)申请日2022.11.14

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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