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本发明公开了一种凸条形有源区的制造方法，包括：步骤一、对导体衬底进行图形化刻蚀形成凸条形结构和凸条形结构之间的浅沟槽。步骤二、形成第二介质层将浅沟槽完全填充并延伸到浅沟槽外。步骤三、采用第一次化学机械研磨对第二介质层进行研磨并停止在第一硬质掩膜层的表面上。步骤四、采用第二次湿法刻蚀对第二介质层的顶部表面进行平坦化调整，用以减少不同区域的第二介质层的顶部表面的高度差且第二介质层的顶部表面保持为高于凸条形结构的顶部表面。步骤五、去除第一硬质掩膜层。步骤六、对第二介质层进行第三次干法刻蚀，使第二介质层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073282A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211466495.8
(22)申请日2022.11.22
(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司
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