一种D-T源中子孔隙度测井非弹性散射影响的校正方法.pdfVIP

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2024-05-25 发布于四川
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一种D-T源中子孔隙度测井非弹性散射影响的校正方法.pdf

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本发明公开一种D‑T源中子孔隙度测井非弹性散射影响的校正方法，该方法采用可控中子源孔隙度测井装置，按照如下步骤进行：步骤1：求取D‑T源所测近、远探测器计数率比值R与地层快中子减速长度Ls的关系；步骤2：推导R与所划分两阶段减速长度Ls‑H、Ls‑AB的关系；步骤3：利用非弹伽马计数率对Ls‑H进行表征，进而得出与Am‑Be源相同的Ls‑AB；步骤4：根据减速长度与孔隙度的刻度关系，得出与Am‑Be源响应兼容的孔隙度结果。本发明可以有效地代替密度校正方法来提高可控源与化学源测井的兼容性，并且不需

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115248463A

(43)申请公布日2022.10.28

(21)申请号202210574841.8

(22)申请日2022.05.24

(71)申请人中国石油大学（华东）

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